ซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ (Samsung Electronics) ระบุในวันนี้ (27 ก.พ.) ว่า บริษัทได้พัฒนาชิปหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง (HBM) ที่ก้าวล้ำอย่าง HBM3E 12H ซึ่งมีความจุสูงสุดในอุตสาหกรรมจนถึงปัจจุบัน โดยสามารถเพิ่มสมรรถนะและความจุได้มากกว่า 50%
นายแบ ยองชอล รองประธานบริหารฝ่ายวางแผนผลิตภัณฑ์หน่วยความจำของซัมซุง กล่าวว่า "ผู้ให้บริการปัญญาประดิษฐ์ (AI) ในอุตสาหกรรมต้องการ HBM ที่มีความจุสูงขึ้นมากขึ้น และผลิตภัณฑ์ HBM3E 12H ใหม่ของเราได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการดังกล่าว ... โซลูชันหน่วยความจำใหม่นี้เป็นส่วนหนึ่งของการขับเคลื่อนของเราสู่การพัฒนาเทคโนโลยีหลักสำหรับ HBM แบบสแต็กสูง และมอบความเป็นผู้นำทางเทคโนโลยีสำหรับตลาด HBM ความจุสูงในยุค AI"
สำนักข่าวซีเอ็นบีซีรายงานว่า ซัมซุง อิเลคโทรนิคส์ เป็นผู้ผลิตชิปหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบพลวัต (Dynamic Random-Access Memory) หรือ DRAM รายใหญ่ที่สุดในโลก โดยมีการใช้ชิปดังกล่าวอย่างแพร่หลายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ เช่น สมาร์ตโฟนและคอมพิวเตอร์
โมเดลปัญญาประดิษฐ์รู้สร้าง (Generative AI) อย่างแชตจีพีที (ChatGPT) ของโอเพนเอไอ (OpenAI) จำเป็นต้องใช้ชิปหน่วยความจำสมรรถนะสูงจำนวนมาก เนื่องจากชิปเหล่านี้อำนวยความสะดวกในการเก็บรักษาข้อมูลจากการสนทนาครั้งก่อนและการตั้งค่าของผู้ใช้ ทำให้โมเดล AI รู้สร้างสามารถสร้างคำตอบที่ใกล้เคียงกับภาษามนุษย์ได้
ทั้งนี้ การที่ AI เป็นที่นิยมมากขึ้นกำลังผลักดันการเติบโตในอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ โดยที่ทางอินวิเดีย (Nvidia) ซึ่งเป็นผู้ออกแบบชิปที่มีชื่อเสียงของสหรัฐ มีรายได้เพิ่มขึ้นถึง 265% ในช่วงไตรมาส 4/2566 เนื่องจากอุปสงค์หน่วยประมวลผลกราฟิกที่เพิ่มสูงขึ้น ซึ่งหน่วยประมวลผลกราฟิกหลายพันหน่วยใช้ในการดำเนินการและฝึก ChatGPT