สหรัฐฯ และอินเดียบรรลุข้อตกลงร่วมกันในการจัดตั้งโรงงานผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในอินเดีย ซึ่งถือเป็นการสนับสนุนความพยายามของนายนเรนทรา โมดี นายกรัฐมนตรีอินเดีย ที่ต้องการส่งเสริมการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ในประเทศ
แถลงการณ์ของทำเนียบขาวหลังการประชุมระหว่างประธานาธิบดีโจ ไบเดน กับนายกฯ โมดี ที่รัฐเดลาแวร์ เมื่อวันเสาร์ (21 ก.ย.) ระบุว่า โรงงานแห่งนี้จะผลิตเซมิคอนดักเตอร์ประเภทอินฟราเรด แกลเลียมไนไตรด์ และซิลิคอนคาร์ไบด์ และการจัดตั้งโรงงานแห่งนี้จะได้รับการสนับสนุนตามภารกิจเซมิคอนดักเตอร์ของรัฐบาลอินเดีย (India Semiconductor Mission) รวมถึงความร่วมมือด้านเทคโนโลยีระหว่างภารัต เซมิ (Bharat Semi) เธิร์ดอายเทค (3rdiTech) และกองทัพอวกาศสหรัฐฯ (U.S. Space Force)
นอกจากนี้ ทั้งสองประเทศยังประกาศความพยายามในการจัดหาเงินทุนสำหรับโครงการต่าง ๆ เพื่อกระตุ้นการสร้างห่วงโซ่อุปทานพลังงานสะอาดภายในอินเดีย มูลค่าประมาณ 1 พันล้านดอลลาร์ ผ่านทางธนาคารระหว่างประเทศเพื่อการฟื้นฟูบูรณะและพัฒนา (IBRD)
สำนักข่าวบลูมเบิร์กรายงานว่า นายกฯ อินเดียอยู่ระหว่างเดินทางเยือนสหรัฐฯ เพื่อเข้าร่วมการประชุมผู้นำกลุ่มจตุภาคี หรือ Quad โดยในระหว่างการเดินทางเยือนเป็นระยะเวลา 3 วัน โมดีจะจัดการประชุมทวิภาคีกับผู้นำประเทศสมาชิก Quad กล่าวปาฐกถาที่สมัชชาใหญ่แห่งสหประชาชาติ (UNGA) และพบปะกับชาวอินเดียพลัดถิ่นและผู้บริหารในอุตสาหกรรมเทคโนโลยีของสหรัฐฯ
โดยเมื่อวันอาทิตย์ที่ผ่านมา (22 ก.ย.) โมดีได้พบกับซันดาร์ พิชัย ซีอีโอของกูเกิล (Google) นายเจนเซ่น หวง ซีอีโอของอินวิเดีย (Nvidia) และเดวิด ริกส์ จากอีไล ลิลลี (Eli Lilly) รวมถึงบุคคลอื่น ๆ และยังได้กล่าวสุนทรพจน์ในงานของชาวอินเดียพลัดถิ่นที่ลองไอส์แลนด์ รัฐนิวยอร์ก
สำหรับการประชุม Quad ครั้งต่อไปมีกำหนดจัดขึ้นที่อินเดียในปี 2568