กรุงเทพฯ--13 ธ.ค.--พีซี แอนด์ แอสโซซิเอทส์ คอนซัลติ้ง
ผลงานความสำเร็จที่นำเสนอในการประชุม IEDM 2002 เป็นพื้นฐานหลักสำหรับโซลูชั่นประสิทธิภาพสูงในอนาคต
เพื่อตอกย้ำถึงความเป็นผู้นำในการวิจัยและพัฒนาด้านเซมิคอนดัคเตอร์ AMD ได้นำเสนอผลงานความสำเร็จด้านเทคนิคหลายรายการซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งต่อการผลิตทรานซิสเตอร์และเซลล์หน่วยความจำรุ่นอนาคต ในการประชุม International Electron Devices Meeting (IEDM) ซึ่งจัดขึ้นที่นครซานฟรานซิสโก ระหว่างวันที่ 8-11 ธันวาคม โดยผลงานวิจัยดังกล่าวจะสามารถนำมาใช้ในกระบวนการผลิตจริงได้ในราวปี 2548
มร. เครก แซนเดอร์ รองประธานฝ่ายพัฒนาเทคโนโลยีการผลิตของ AMD กล่าวว่า "ห้องปฏิบัติการของ AMD ได้ประสบความสำเร็จในระดับหนึ่งสำหรับการพัฒนาเทคโนโลยีทรานซิสเตอร์และหน่วยความจำรุ่นอนาคต และเมื่อทุกอย่างเสร็จสมบูรณ์ ก็จะทำให้เราสามารถนำเสนอผลิตภัณฑ์ที่มีประสิทธิภาพการทำงานสูงสุด รวมถึงความสามารถในการเชื่อมต่อ และความสะดวกในการใช้งานอย่างที่ไม่เคยมีมาก่อน" ทรานซิสเตอร์รุ่นอนาคต
ที่การประชุม IEDM ทาง AMD ได้นำเสนอรายงานด้านเทคนิค 3 ฉบับ ซึ่งให้ข้อมูลเกี่ยวกับความคืบหน้าและผลสำเร็จครั้งล่าสุดในการวิจัยเกี่ยวกับโครงสร้างทรานซิสเตอร์สำหรับอนาคต ทั้งนี้ ทรานซิสเตอร์เป็นส่วนประกอบหลักของไมโครชิป ซึ่งโดยพื้นฐานแล้วจะทำหน้าที่เป็นสวิตช์ขนาดจิ๋ว โดยใช้ "ประตูสัญญาณ" (gate) ในการเปิดและปิดกระแสไฟฟ้า
AMD ได้ให้รายละเอียดของงานวิจัยที่ดำเนินการโดยมหาวิทยาลัยแคลิฟอร์เนีย วิทยาเขตเบิร์กเลย์ ในเรื่องที่เกี่ยวกับอุปกรณ์ทรานซิสเตอร์ชนิดใหม่ที่จะมาแทนที่ทรานซิสเตอร์แบบเจือสารเข้าทางแนวราบ (planar transistor) ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน โดยจะกลายเป็นมาตรฐานอุตสาหกรรมสำหรับชิปลอจิกประสิทธิภาพสูง
โครงสร้างทรานซิสเตอร์แบบใหม่นี้ ซึ่งรู้จักกันในวงการอุตสาหกรรมไมโครชิปในชื่อว่า Fin Field Effect Transistor (FinFET) จะใช้ประโยชน์จากแผ่น "ครีบ" แนวตั้งที่ทำจากซิลิคอน เพื่อสร้างประตูสัญญาณ 2 ประตู แทนที่จะมีเพียง 1 ประตู วิธีการดังกล่าวจะช่วยให้กระแสไฟฟ้าที่ส่งออกจากทรานซิสเตอร์เพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่า และช่วยปรับปรุงลักษณะการปิด-เปิดสวิตช์ของทรานซิสเตอร์ ดีไซน์ที่มีประสิทธิภาพในทางปฏิบัตินี้จะช่วยเพิ่มสมรรถนะการทำงานและลดขนาดของชิปให้มีรูปทรงที่เล็กที่สุด โดยยังคงสามารถทำการผลิตด้วยวิธีการที่มีอยู่เดิม
เมื่อเดือนกันยายนที่ผ่านมา AMD เป็นบริษัทแรกที่ได้สาธิตการทำงานของทรานซิสเตอร์ FinFET ซึ่งมีความยาวของ gate เพียง 10 นาโนเมตร หรือเท่ากับ 10 ใน 1,000 ล้านส่วนของความยาว 1 เมตร ซึ่งเล็กกว่า 1 ใน 5 ของทรานซิสเตอร์ที่ล้ำหน้าที่สุดที่สามารถผลิตได้ในปัจจุบัน
มร. แซนเดอร์ กล่าวเสริมว่า "เป้าหมายที่เราตั้งไว้สำหรับการปรับปรุงประสิทธิภาพของทรานซิสเตอร์ก็คือ การลดความยาวของ gate ให้เหลือน้อยกว่า 15 นาโนเมตร ภายในสิ้นทศวรรษนี้ ซึ่งจะช่วยสร้างโอกาสที่ดีเยี่ยมสำหรับการวิจัยและพัฒนาต่อๆ ไป โครงสร้างทรานซิสเตอร์แบบหลาย gate เช่น ทรานซิสเตอร์ FinFET ของเรา จะเป็นกุญแจที่นำไปสู่ความสำเร็จในด้านประสิทธิภาพสำหรับชิปรุ่นอนาคต โดยที่ยังคงสามารถใช้ประโยชน์จากวิธีการผลิตที่มีอยู่เดิมของเราได้เกือบทั้งหมด"
นอกจากนี้ AMD ยังได้นำเสนอรายงานอีก 2 ฉบับ เกี่ยวกับความสำเร็จของบริษัทฯ ในการสร้างทรานซิสเตอร์ที่ใช้ประตูสัญญาณที่ทำจากโลหะ แทนที่จะใช้วัสดุประเภทโพลีซิลิคอนเหมือนที่ใช้กันอยู่ในปัจจุบัน งานวิจัยชิ้นนี้มีจุดมุ่งหมายเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของทรานซิสเตอร์สำหรับกระบวนการผลิตชิปของ AMD ตั้งแต่ปี 2548 เป็นต้นไป
เทคโนโลยีประตูสัญญาณที่ทำจากนิกเกิลจะช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของทรานซิสเตอร์ได้อย่างมาก โดยอาศัยการปรับปรุงการไหลของกระแสไฟฟ้าผ่านตัวทรานซิสเตอร์ ประตูสัญญาณแบบโลหะนี้จะทดแทนวิธีการแบบเดิมที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน นั่นคือ การเจือสารลงในช่องที่อยู่ข้างใต้ประตูสัญญาณของทรานซิสเตอร์เพื่อปรับปรุงลักษณะการปิด-เปิดสวิตช์ การยกเลิกวิธีการเจือสารดังกล่าวจะช่วยให้กระแสไฟมีการไหลเวียนที่ดีขึ้น และในทางกลับกัน ก็จะช่วยเพิ่มสมรรถนะการทำงานให้กับทรานซิสเตอร์ ยิ่งกว่านั้น ประตูสัญญาณแบบนิกเกิลนี้คาดว่าจะมีต้นทุนการผลิตที่ต่ำกว่า เมื่อเทียบกับเทคโนโลยีประตูสัญญาณแบบโลหะอื่นๆ ที่ได้มีการศึกษาวิจัยกันอยู่ในวงการอุตสาหกรรม
หน่วยความจำแฟลชรุ่นอนาคต
นอกจากนี้ AMD ได้ร่วมมือกับมหาวิทยาลัยสแตนฟอร์ด เพื่อนำเสนอรายงานเกี่ยวกับโครงสร้างเซลล์หน่วยความจำแฟลชแบบใหม่ ซึ่งจะช่วยลดขนาดของหน่วยความจำแฟลชให้เหลือน้อยกว่า 65 นาโนเมตร
โครงสร้างแบบใหม่นี้จะใช้ "เส้นลวดจิ๋ว" (nanowire) ที่ทำจากโพลีซิลิคอน และมีขนาดความกว้างเพียง 5 นาโนเมตร เพื่อจัดเก็บประจุไฟฟ้า เซลล์หน่วยความจำที่มีขนาดเล็กมากนี้จะมีลักษณะการทำงานใกล้เคียงกับกลไกในระดับควอนตัม และจะช่วยเพิ่มความเร็วในการลบข้อมูลได้มากกว่าหลายเท่าเมื่อเทียบกับเซลล์หน่วยความจำแบบที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน โดยยังคงสามารถเก็บรักษาข้อมูลได้อย่างมีเสถียรภาพ เทคโนโลยีดังกล่าวจะทำให้สามารถผนวกรวมหน่วยความจำขนาดใหญ่ลงในชิปหน่วยความจำแฟลชแต่ละตัว ทั้งยังสามารถเพิ่มความเร็วและลดปริมาณการใช้กระแสไฟสำหรับการอ่านและบันทึกข้อมูลลงในเซลล์หน่วยความจำได้อย่างมาก
การประชุม IEDM
AMD ได้นำเสนอผลงานความสำเร็จดังที่ระบุข้างต้น รวมถึงผลงานอื่นๆ ในการประชุม IEDM 2002 ซึ่งจัดขึ้นที่โรงแรมและอาคารฮิลตันในนครฟรานซิสโก ระหว่างวันที่ 8-11 ธันวาคม 2545 ทั้งนี้ กำหนดการและสถานที่จัดงานอาจมีการเปลี่ยนแปลง หากต้องการทราบกำหนดการและรายละเอียดเพิ่มเติม สามารถดูได้จากเว็บไซต์ของ IEDM ที่ http://www.his.com/~iedm/index.html
ข้อมูลเกี่ยวกับ AMD
เอเอ็มดี เป็นผู้ผลิตวงจรรวมสำหรับคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลและคอมพิวเตอร์ที่ใช้งานบนเครือข่าย รวมทั้งอุปกรณ์สื่อสาร โดยมีฐานการผลิตในสหรัฐอเมริกา ยุโรป ญี่ปุ่น และเอเชีย บริษัทฯ ได้รับการจัดอันดับโดยนิตยสาร Fortune และบริษัทจัดอันดับความน่าเชื่อถือ Standard & Poor ให้เป็นหนึ่งในบริษัทชั้นนำ 500 บริษัทของโลก ผลิตภัณฑ์ของเอเอ็มดีได้แก่ ไมโครโพรเซสเซอร์ อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลช และชิ้นส่วนต่างๆ ของแผงวงจร สำหรับการใช้งานด้านการสื่อสารและเครือข่าย บริษัทฯ ก่อตั้งขึ้นในปี 2512 มีสำนักงานใหญ่ตั้งอยู่ที่เมืองซันนี่เวล รัฐแคลิฟอร์เนีย และมีรายได้รวมทั้งสิ้น 3,900 ล้านดอลลาร์ ในปี 2544 (NYSE: AMD)
ติดต่อขอข้อมูลเพิ่มเติมได้ที่
มร. วี แยพ ยิน
ผู้จัดการการตลาด
บริษัทเอเอ็มดี ฟาร์อีส จำกัด
โทรศัพท์ (65) 6337 7033 โทรสาร (65) 6338 1611
อีเมล์: yepyin.wee@amd.com
ประชาสัมพันธ์ข่าวโดย
บริษัทพีซี แอนด์ แอสโซซิเอทส์ คอนซัลติ้ง จำกัด
สุชาย เฉลิมธนศักดิ์
โทรศัพท์ 0 2971 3711 โทรสาร 0 2521 9030
อีเมล์: suchai@pc-a.inet.co.th-- จบ--
-ตม-