กรุงเทพฯ--12 เม.ย.--เนคเทค
เมื่อวันที่ 7 เมษายนที่ผ่านมา คณะกรรมการบริหารศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ สำนักงานพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีแห่งชาติ กระทรวงวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยี มีมติอนุมัติงบประมาณสนับสนุนโครงการวิจัย พัฒนา และวิศวกรรมจำนวนกว่าสิบห้าล้านบาท ในระยะเวลา 2 ปี ให้กับโครงการ "การประดิษฐ์จอแสดงผลแบบบางไดโอดเปล่งแสงสารอินทรีย์โครงสร้างบ่อควอนตัม (Fabrication of Organic Light-Emitting Diode (OLED) Flat Panel Display in Quantum-well Structure)" โดยมี รศ.ดร.จิติ หนูแก้ว จากภาควิชาฟิสิกส์ประยุกต์ คณะวิทยาศาสตร์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหาร ลาดกระบัง เป็นหัวหน้าโครงการ
ดร.ทวีศักดิ์ กออนันตกูล ผู้อำนวยการศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ กล่าวว่า "สำหรับการให้ทุนโครงการวิจัย พัฒนา และวิศวกรรมนี้ เป็นส่วนหนึ่งของภารกิจหลักของเนคเทค ในการที่จะผลักดันให้เกิดผลงานใหม่ๆ และความร่วมมือทั้งในภาครัฐ และเอกชน เพื่อตอบสนองต่อเศรษฐกิจ และสังคมของประเทศ โดยในโครงการ "การประดิษฐ์จอแสดงผลแบบบางไดโอดเปล่งแสงสารอินทรีย์โครงสร้างบ่อควอนตัม (Fabrication of Organic Light-Emitting Diode (OLED) Flat Panel Display in Quantum-well Structure)" มี รศ.ดร.จิติ หนูแก้ว จากภาควิชาฟิสิกส์ประยุกต์ คณะวิทยาศาสตร์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหาร ลาดกระบัง เป็นหัวหน้าโครงการนี้ ด้วยจำนวนเงินกว่า 15 ล้านบาท ทุนการสนับสนุนการวิจัยและพัฒนานี้เป็นการวิจัยและพัฒนาไดโอดเปล่งแสงจากสารอินทรีย์ (Organic Light-Emitting Diode - OLED) ซึ่งเป็นชิ้นส่วนพื้นฐานในการสร้างจอภาพแสดงผลรุ่นใหม่ที่มีลักษณะบาง สามารถโค้งงอหรือม้วนเก็บได้ ซึ่งจะเป็นการลดต้นทุนในการผลิตจอภาพแสดงผล อาทิ มือถือ จอทีวี และคอมพิวเตอร์ เป็นต้น
ไดโอดเปล่งแสงจะถูกสร้างขึ้นในห้องปฏิบัติการวิจัยด้วยการเคลือบโมเลกุล หรือผลึกของสารอินทรีย์ (สาร Alq3) และสารอนินทรีย์ (สาร ZnSe) ลงบนพื้นผิวของวัสดุที่เป็นฐานรองรับ (substrate) เช่น กระจก หรือโพลีเมอร์ (Polymer) ผลึกของสารจะถูกเคลือบเป็นฟิล์มบาง (Thin film) ที่มีความหนาในระดับนาโนเมตร โดยฟิล์มบางของสารอินทรีย์ Alq3 จะถูกประกบด้วยฟิล์มบางจากผลึกของสารอนินทรีย์ ZnSe กลายเป็นโครงสร้างในรูปแบบที่เรียกว่า บ่อควอนตัม (Quantum Well) บนพื้นผิวของวัสดุที่เป็นฐานรองรับ โดยมีสารอนินทรีย์ทำหน้าที่เป็นโครงสร้างผนังของบ่อควอนตัม (ที่มีขนาดเล็กมากระดับนาโนเมตร) และสารอินทรีย์จะถูกเคลือบที่ก้นบ่อ ลักษณะโครงสร้างนี้ จะทำให้เกิดความต่างศักย์ของไฟฟ้า ความหนาของสารอินทรีย์ที่ใช้เคลือบและขนาดความกว้างของบ่อที่แตกต่างกันก็จะทำให้ไดโอดมีสีที่แตกต่างกันออกไปเมื่อเปล่งแสงออกมา เช่น เมื่อเปลี่ยนชั้นความหนาของบ่อควอนตัมของสารอินทรีย์ Alq3 ลดลงจาก 50 นาโนเมตร และลดความกว้างของบ่อควอนตัมลงสู่ความหนา 10 นาโนเมตร จะทำให้มีการเปล่งแสงจากแสงสีแดงเปลี่ยนไปเป็นแสงสีฟ้า
การเตรียมสารกึ่งตัวนำอินทรีย์ (เช่น Alq3 ซึ่งมีโครงสร้างคล้ายคลอโรฟิลด์ในใบไม้) และอนินทรีย์ (ZnSe) จะใช้วิธีระเหยสารด้วยลำอิเล็กตรอนและระบบระเหยสารด้วยความร้อนในสุญญากาศ ก่อนที่จะนำไปเคลือบลงบนพื้นผิวของวัสดุที่เป็นฐานรองรับ
ไดโอดเปล่งแสงจากสารอินทรีย์ที่ได้จากโครงการจะมีคุณสมบัติที่สามารถสร้างได้ง่าย ต้นทุนต่ำ และยังมีอายุการใช้งานที่นานขึ้นเนื่องจากชั้นฟิล์มบางของสารอินทรีย์จะถูกประกบอยู่กับผลึกขนาดนาโนเมตรของสารกึ่งตัวนำอนินทรีย์ ทำให้สามารถป้องกันการเสื่อมสภาพจากการสัมผัสกับอากาศได้ สำหรับการสร้างฟิล์มบางสารอินทรีย์แบบบ่อควอนตัมนี้ยังเป็นฟิล์มบางที่มีคุณภาพสูงกว่าวิธี spin coating ที่ทำวิจัยกันอยู่ในปัจจุบัน และยังไม่พบว่ามีรายงานการวิจัยในวารสารต่างประเทศ นับว่าเป็นโครงการวิจัยใหม่ที่น่าสนใจ
ในการนำไดโอดเปล่งแสงจากสารอินทรีย์ไปประยุกต์ใช้นั้น โครงการวิจัยจะได้ทดลองนำไปสร้างเป็นจอแสดงผลดอทเมตริกแบบแบน (Flat Panel Display) ที่มีขนาดบาง มีความยืดหยุ่นและสามารถโค้งงอได้ พร้อมทั้งวงจรควบคุมการทำงานของจอภาพ ซึ่งจะถือว่าเป็นการปฏิวัติวงการอุตสาหกรรมผลิตจอแสดงผลแบบแบนได้ โดยจอภาพต้นแบบที่จะได้รับจากการวิจัยและพัฒนาจะมีพิกเซล (pixel) ขนาด 300x300 ไมครอน (mm) มีระยะห่างของพิกเซลเท่ากับ 200 ไมครอน (1 ไมครอน = 1/1,000 มม.)
ทางโครงการยังมีแผนงานต่อเนื่องที่จะพัฒนาเทคโนโลยีทางด้านฟิล์มบางจากสารอินทรีย์ที่ได้รับจากโครงการวิจัยให้เป็นทรานซิสเตอร์ฟิล์มบางจากสารอินทรีย์ (Organic Thin-Film Transistor: OTFT) เซลสุริยะ(Solar cell) และก้าวไปถึงการทำวงจรรวม(IC) สำหรับสร้างคอมพิวเตอร์แห่งอนาคตได้อีกด้วย
นอกเหนือจากการวิจัยและพัฒนาจอแสดงผลแบบบางไดโอดเปล่งแสงสารอินทรีย์โครงสร้างบ่อควอนตัมแล้ว การสนับสนุนจากเนคเทคในครั้งนี้ ยังเป็นความร่วมมือทางวิชาการครั้งสำคัญยิ่งสำหรับการพัฒนาวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีในประเทศไทยในการสร้างขีดความสามารถทางด้านการวิจัยและพัฒนาด้าน Nano Electronics ให้กับห้องปฏิบัติการวิจัยควอนตัมและสารกึ่งตัวนำทางแสง (Quantum and Optical Semicondustor Research Laboratory) ของสถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหาร ลาดกระบัง ซึ่งจะทำให้เกิดการวิจัยและพัฒนา และการพัฒนาบุคลากรที่เชี่ยวชาญในการวิจัยทางด้านออปโตอิเล็กทรอนิกส์และนาโนอิเล็กทรอนิกส์อย่างต่อเนื่อง เกิดการพัฒนา เสริมสร้าง และสะสมองค์ความรู้เทคโนโลยีด้านออปโตอิเล็กทรอนิกส์และนาโนอิเล็กทรอนิกส์ในประเทศไทย ให้มีขีดความสามารถที่จะพัฒนาอุปกรณ์ออปโตอิเล็กทรอนิกส์และประยุกต์ใช้งานต่างๆ ได้อีกด้วย
งานประชาสัมพันธ์และมัลติมีเดีย
ศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ
112 ถนนพหลโยธิน ตำบลคลองหนึ่ง อำเภอคลองหลวง
จังหวัดปทุมธานี 12120
โทร 02-564-6900 ต่อ 2350-2355--จบ--
-นท-