กรุงเทพฯ--3 พ.ค.--อินเทล ประเทศไทย
นักวิจัยของ Intel Corporation ได้เปิดเผยว่า ล่าสุด ทางบริษัทได้สามารถสร้าง CMOS ทรานซิสเตอร์ที่เร็ว และเล็กที่สุดได้สำเร็จ ซึ่งความสำเร็จดังกล่าว จะสามารถทำให้ภายในอีก 5 - 10 ปีข้างหน้า อินเทลจะสามารถที่จะผลิตไมโครโพรเซสเซอร์ ที่มีจำนวนทรานซิสเตอร์ มากกว่า 400 ล้านตัว และจะสามารถที่จะรันที่ความเร็วสูงถึง 10 GHz โดยใช้ไฟแค่เพียงน้อยกว่า 1 โวลต์ โดยทรานซิสเตอร์ใหม่นี้ จะมีขนาดเพียง 30 นาโนเมตร และหนาเพียงแค่ 3 atomic layer
นักวิทยาศาสตร์ คาดว่าด้วยประสิทธิภาพของไมโครโพรเซสเซอร์ใหม่นี้ จะทำให้สามารถที่จะทำสิ่งที่เมื่อก่อน เราได้เห็นกันเพียงแต่ในภาพยนต์ ยกตัวอย่างเช่น real-time voice translation
นักวิจัยของทางอินเทล ได้เปิดเผยถึงผลงานดังกล่าว เมื่อวานนี้ ที่ San Francisco ที่งาน International Exectron Devices Meeting ซึ่งเป็นงานสัมมนาของ วิศวกร semiconductor และนักวิทยาศาสตร์
นักวิจัยของอินเทลสามารถที่จะสร้างทรานซิสเตอร์ที่มีขนาดเล็กมากดังกล่าว ได้โดยการลดขนาด ของ gate oxides โดยทรานซิสเตอร์ที่ถูกสร้างขึ้น จะมีความหนาเพียงแค่ 3 อะตอมเท่านั้น ซึ่งถ้าเทียบแล้ว ต้องใช้ gate ดังกล่าวจำนวนกว่า 100,000 อันเพื่อที่จะให้มีความหนาเท่ากับความหนาของกระดาษเพียง 1 แผ่น นอกจากนี้เป็นที่น่าสังเกตุว่า gate ใหม่นี้ยังมีลักษณะโครงสร้างคล้ายกับที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน
สำหรับโพรเซสเซอร์ที่ใช้เทคโนโลยีใหม่นี้ คาดว่าจะมีออกมาให้เห็นกัน ในปี 2005 โดยจะใช้เทคโนโลยี 0.07 ไมครอนในการผลิต--จบ--
-สส-